20202021年核心突破，大国重器核心突破都讲了那些内容急列出123急用哦亲们

1，大国重器核心突破都讲了那些内容急列出123急用哦亲们

飞机抛丸，盾构机，天然气瓶

嘿嘿，好问题

我也想知道这个

大国重器核心突破都讲了那些内容急列出123急用哦亲们

2，星光中国芯工程的核心技术突破

“星光”系列数字多媒体芯片第一次全面地分析数字多媒体芯片技术的共性，提出了一个完全的从多媒体数据结构、多媒体处理算法、直到多媒体芯片架构、高速低功耗超大规模集成电路设计、以及嵌入式系统软件技术的整体多媒体芯片技术体系，首次在中国实现了标准与核心技术产品的有机结合，并用低成本的单晶片系统方案实现了高昂的多媒体技术，为今后数字3C多媒体内容、应用及服务的标准化和普及化工作打下了一个坚实的基础。五年来，“星光中国芯工程”实现了七大核心技术突破（多媒体数据驱动平行计算技术、可重构CPU架构技术、深亚微米超大规模芯片设计技术、高品质图像处理及动态无损压缩算法技术、CMOS模数混合电路技术、超低功耗低振幅电路技术、单晶成像嵌入系统技术），拥有该领域几十项国际及国内专有技术，申请了近200项国内外发明专利，技术水平在国际上处于领先地位。1、多媒体数据驱动平行计算技术 (略)2、可重构CPU架构技术 (略)3、深亚微米超大规模芯片设计技术 (略)4、高品质图像处理及动态无损压缩算法技术 (略)5、CMOS模数混合电路技术 (略)6、超低功耗低振幅电路技术 (略)7、单晶成像嵌入系统技术 (略)

星光中国芯工程的核心技术突破

3，内存DDRII和DDRIII有什么本质区别

频率不一样~~接口好像没什么区别~

DDR2和DDR3技术对比的数据,如下图: http://publish.it168.com/cWord/images/299334.bmp1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR3的实际工作频率是DDR2的两倍。这得益于DDR3内存拥有两倍于标准DDR2内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR3和DDR2一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR3拥有两倍于DDR2的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR2的实际频率为400MHz，而DDR3则可以达到800MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR2和DDR3内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR400和DDR3-800具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是6.4GB/s，但是DDR的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

http://zhidao.baidu.com/question/116327140.html 金手指上的缺口不一样，所以说接口不兼容

接口上不同中间有缺口内存颗粒不同主要是制成不同 DDR3的制程更加小功耗更低频率也加高性能更强

外观上缺口不一样本质上速度不一样！！最后价格不一样 O了给分！！

内存DDRII和DDRIII有什么本质区别